薄膜电容温升耐压降额计算器
薄膜电容在靠近 MOS、E型电感等发热器件时，本体温度升高会使电容膜的耐压下降。
规格书额定耐压通常以 85℃ 为标称基准（如 CL21X 450V），
温度每超出额定值 1℃，耐压降额约 1.25%。本工具用于计算降额后的实际耐压。
输入参数
规格书标称耐压，如 CL21X = 450V
规格书耐压标称温度，常见 85℃
电容本体实测温度（靠近热源后的温度）
每超1℃的降额比例，默认1.25%
实际电路施加的峰值电压，用于裕量校验（可不填）
计算结果
温差 ΔT
--℃
耐压降额比例
--%
降额后耐压 V_derated
--V DC
对应交流有效值（估算）
--V AC
工作裕量（若填写工作电压）
--
核心公式：
温差：
降额比例：
降额后耐压：
交流等效：
温差：
ΔT = max(0, T_act − T_rated)降额比例：
Derate% = ΔT × 降额系数(%/℃)降额后耐压：
V_derated = V_rated × (1 − Derate% / 100)交流等效：
V_AC ≈ V_derated / √2（按峰值能力折算，仅供参考）
温度 — 耐压降额曲线
降额后耐压
额定温度线
额定耐压线
当前工作点
降额区域
说明与选型建议
降额原理：薄膜电容的介质（聚酯/聚丙烯膜）在高温下绝缘性能下降、分子活动加剧，
电场承受能力降低，故耐压随温度升高而降额。靠近 MOS、E型电感等热源时，需按实测温度核算实际耐压。
默认示例（CL21X）：额定 450V/85℃，实测 95℃，温差 10℃， 降额 10 × 1.25% = 12.5%，降额后耐压 = 450 × 87.5% = 393.75V。
选型建议：
1. 降额后耐压应 ≥ 实际工作峰值电压的 1.5 倍（严苛场合 2 倍以上）；
2. 若裕量不足，优先降低电容本体温度（远离热源、加挡风/散热、改善PCB布局），而非一味加大耐压等级；
3. 靠近热源时建议在样机阶段实测电容本体温升（热电偶贴壳体），以实测数据为准；
4. 不同厂商/材质的降额系数可能不同，请以具体规格书"电压-温度降额曲线"为准，本工具采用 1.25%/℃ 为通用经验值，可自行调整。
默认示例（CL21X）：额定 450V/85℃，实测 95℃，温差 10℃， 降额 10 × 1.25% = 12.5%，降额后耐压 = 450 × 87.5% = 393.75V。
选型建议：
1. 降额后耐压应 ≥ 实际工作峰值电压的 1.5 倍（严苛场合 2 倍以上）；
2. 若裕量不足，优先降低电容本体温度（远离热源、加挡风/散热、改善PCB布局），而非一味加大耐压等级；
3. 靠近热源时建议在样机阶段实测电容本体温升（热电偶贴壳体），以实测数据为准；
4. 不同厂商/材质的降额系数可能不同，请以具体规格书"电压-温度降额曲线"为准，本工具采用 1.25%/℃ 为通用经验值，可自行调整。