贴片电阻功耗降额计算器
适用于 1206 等贴片电阻的功耗与温度降额快速核算。电阻额定功率基于 70℃ 标称
（如 1206 = 0.25W，工作温度 -55℃~+155℃），环境温度超过 70℃ 后允许功率线性降额，
本工具可计算实际功耗、降额后允许功耗与设计裕量，并可结合实测表面温度评估温升与热阻。
输入参数
自动带入国巨RC_L额定参数，可选自定义
封装选择自动填入，可手动修改
额定功率标称温度，通常 70℃
此温度时允许功耗降为0
如 1000Ω = 1kΩ
电阻周围环境温度（降额判据）
热电偶实测电阻表面温度，用于计算温升/热阻
功耗计算（电压 / 电流 二选一）
施加在电阻两端的电压
计算结果
实际功耗 P
--W
额定电压参考 √(P×R)
--V
额定功率 P_rated
--W
降额后允许功耗
--W
功耗裕量
--
温升 / 热阻（若填表面温度）
--
核心公式：
功耗：
降额（T > 70℃）：
温升：
裕量：
功耗：
P = V² / R 或 P = I² × R
额定电压：V_rated = √(P_rated × R)降额（T > 70℃）：
P_allow = P_rated × (T_max − T_amb) / (T_max − T_rated)温升：
ΔT = T_surf − T_amb
热阻：θ = ΔT / P（℃/W，估算）裕量：
Margin = (P_allow − P) / P_allow × 100%
功耗 — 温度降额曲线
允许功率（降额线）
额定温度 70℃
最高工作温度
工作点（实际功耗）
降额区域
国巨 RC_L 系列封装额定参数参考
| 封装 | 额定功率 | 工作温度范围 | 额定温度 |
|---|---|---|---|
| 0201 | 1/20 W | -55℃ ~ +125℃ | 70℃ |
| 0402 | 1/16 W | -55℃ ~ +155℃ | 70℃ |
| 0603 | 1/10 W | -55℃ ~ +155℃ | 70℃ |
| 0805 | 1/8 W | -55℃ ~ +155℃ | 70℃ |
| 1206 | 1/4 W | -55℃ ~ +155℃ | 70℃ |
| 1210 | 1/2 W | -55℃ ~ +155℃ | 70℃ |
| 2010 | 3/4 W | -55℃ ~ +155℃ | 70℃ |
| 2512 | 1 W | -55℃ ~ +155℃ | 70℃ |
· 数据来源：国巨 RC_L 系列规格书（RC1206 额定功率 1/4W、1/2W，本工具取 1/4W）；
· 额定电压 V = √(P×R)，且不得超过最大工作电压（1206 为 200V）；
· 降额曲线见规格书 Fig.10-1：≤70℃ 为 100% 额定功率，70℃~155℃ 线性降至 0。
· 额定电压 V = √(P×R)，且不得超过最大工作电压（1206 为 200V）；
· 降额曲线见规格书 Fig.10-1：≤70℃ 为 100% 额定功率，70℃~155℃ 线性降至 0。
使用说明与设计建议
典型应用（1206 / 0.25W / 1000Ω / 85℃）：
· 施加 12V → P = 12²/1000 = 0.144W；允许功耗 = 0.25 × (155−85)/(155−70) = 0.206W； 裕量 = 30%，可正常工作；
· 若环境温度升至 120℃ → 允许功耗降至 0.103W，0.144W 已超限，需换更大封装或降低功耗。
设计建议：
1. 建议实际功耗 ≤ 降额后允许功耗的 80%（留 20% 以上裕量）；
2. 同时受 最大工作电压 限制（1206 = 200V），高压低功耗场景以电压为约束；
3. 靠近热源（MOS/电感）时，环境温度应取电阻周围的实测温度，而非机壳外温度；
4. 温升/热阻为工程估算，实际散热受 PCB 铜箔面积、走线宽度影响，需以实测为准。
· 施加 12V → P = 12²/1000 = 0.144W；允许功耗 = 0.25 × (155−85)/(155−70) = 0.206W； 裕量 = 30%，可正常工作；
· 若环境温度升至 120℃ → 允许功耗降至 0.103W，0.144W 已超限，需换更大封装或降低功耗。
设计建议：
1. 建议实际功耗 ≤ 降额后允许功耗的 80%（留 20% 以上裕量）；
2. 同时受 最大工作电压 限制（1206 = 200V），高压低功耗场景以电压为约束；
3. 靠近热源（MOS/电感）时，环境温度应取电阻周围的实测温度，而非机壳外温度；
4. 温升/热阻为工程估算，实际散热受 PCB 铜箔面积、走线宽度影响，需以实测为准。